SMUN5114DW1T1G

SMUN5114DW1T1G — Идея BRT простая и хорошо проверена на практике: вместо того чтобы ставить на плату отдельный PNP, последовательный базовый резистор и резистор база–эмиттер, всё это уже сформировано на кристалле. Для конструктора это меньше позиций в BOM, меньше паек и предсказуемое отношение R1/R2 от партии к партии. В данном orderable в одном корпусе SOT-363 сидят два независимых таких канала (Q1 и Q2) с общей «землёй» эмиттеров по типовой цоколёвке семейства — перед разводкой обязательно сверить pinout чертежа datasheet (вход/коллектор каждого канала), потому что перепутанные выводы BRT на плотной плате ловятся уже на функциональном тесте. Предельные режимы (общие для Q1 и Q2, TA = 25 °C, если не оговорено иное): напряжение коллектор–база и коллектор–эмиттер до 50 V, непрерывный ток коллектора 100 mA, прямое входное напряжение до 40 V, обратное на входе до 6 V. Превышение absolute maximum в datasheet прямо связывают с риском повреждения — запас по напряжению на автомобильных линиях с выбросами нужно обеспечивать внешней защитой, сам BRT не является TVS. Температура перехода/хранения в семействе указана порядка −55…+150 °C. Рассеиваемая мощность зависит от того, нагрет один или оба кристалла и от теплоотвода площадок: в кратких карточках встречаются ориентиры ~187 mW и ~250 mW — это не конфликт производителей, а разные footnote FR4; для надёжного расчёта смотреть RθJA и derate выше 25 °C в PDF. Электрически канал ведёт себя как логический PNP-ключ с делителем на входе. Серийный R1 = 10 kΩ (допуск в таблице характеристик семейства обычно 7…13 kΩ) задаёт базовый ток от управляющего напряжения; параллельный к переходу Б–Э R2 = 47 kΩ ускоряет закрытие и задаёт порог по входу. Типовое отношение R1/R2 около 0.21. Коэффициент передачи hFE в параметрике дистрибьюторов для этой позиции — не менее 80 при IC = 5 mA, VCE = 10 V; насыщение VCEsat порядка 250 mV при IC = 10 mA / IB = 0.3 mA (условия карточек, согласованные с классом DTA114YD). В рабочем режиме: подаёте достаточный уровень на вход (с учётом падения на R1 и VBE) — канал открывается, коллектор тянет нагрузку к более положительной шине относительно эмиттера (для PNP эмиттер обычно на «плюсе» логики относительно коллекторной нагрузки — топологию high-side/inverted logic сверять со схемой). Снимаете вход — R2 разряжает базу, транзистор закрывается, ток утечки коллектора в семействе нормируется на уровне сотен нА.

Оригинальное название: SMUN5114DW1 (dual PNP BRT, R1=10 kΩ, R2=47 kΩ)

Маркировка: SMUN5114DW1T1G

Практика выбора и поставки

Перед заказом фиксируем полный код SMUN5114DW1T1G, корпус SOT-363 и датакод партии 19+. Не смешивать с SMUN521x (NPN BRT) и с dual complementary SMUN531x без сверки цоколёвки и резисторной карты. Параметры ниже — заявленные для этой маркировки. Перед разводкой сверяют Absolute Maximum и Recommended Operating Conditions в даташите именно этого ordering code.

Даташит семейства открывается по ссылке даташит SMUN5114DW1T1G (PDF). Перед заказом сверяем маркировку, корпус, датакод и упаковку со спецификацией платы.

Полная таблица параметров

Что проверить при приёмке партии

1. Полную маркировку SMUN5114DW1T1G, без соседних суффиксов.
2. Корпус SOT-363 и заявленный датакод партии.
3. Целостность выводов и отсутствие следов перемаркировки.
4. Упаковку (лента или tray) и сопроводительный лист партии.

Частые вопросы

Что нужно, чтобы посчитать партию?

Полный артикул, корпус, датакод и объём. По ним считаем срок и стоимость поставки.

Можно ли заменить соседним артикулом?

Нет, без сверки суффиксов корпуса, напряжения, температурного индекса и посадочного места. Заказывают полный ordering code.

Как оформить поставку?

Сначала фиксируют артикул, корпус, датакод и объём, затем проверку и маршрут. Доступны поиск и проверка поставщика, доставка и таможенное оформление.

Карточка: SMUN5114DW1T1G. Раздел: электронные компоненты.

Смежные артикулы: AR0144ATSM20XUEA0-DRBR CAT809RTBI-GT3 FCB070N65S3 FDMF5833-F085.